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标题: DDR2内存和DDR3内存的区别(转) [打印本页]

作者: hansq    时间: 2008-11-17 21:22     标题: DDR2内存和DDR3内存的区别(转)

1、逻辑Bank数量
最好的电脑自学交流论坛: A; b9 o: B& P1 o7 [
      DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的设计,目的就是为了应对未来大容量芯片的需求;而DDR3很可能将从2Gb容量起步,因此起始的逻辑Bank就是8个,此外还为未来的16个逻辑Bank做好了准备。

2、封装(Packages)
      DDR3由于新增了一些功能,所以在引脚方面会有所增加,8bit芯片采用78球FBGA封装,16bit芯片采用96球FBGA封装;而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格。值得一提的是DDR3必须是绿色封装,不能含有任何有害物质。

3、突发长度(BL,Burst Length)
      由于DDR3的预取为8bit,所以突发传输周期(BL,Burst Length)也固定为8,而对于DDR2和早期的DDR架构的系统,BL=4也是常用的,DDR3为此增加了一个4-bit Burst Chop(突发突变)模式,即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输,届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。而且需要指出的是,任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止,且不予支持,取而代之的是更灵活的突发传输控制(如4bit顺序突发)。
     寻址时序(Timing)就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样,DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2至5之间,而DDR3则在5至11之间,且附加延迟(AL)的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0至4,而DDR3时AL有三种选项,分别是0、CL-1和CL-2。另外,DDR3还新增加了一个时序参数——写入延迟(CWD),这一参数将根据具体的工作频率而定。

4、新增功能——重置(Reset)
      重置是DDR3新增的一项重要功能,并为此专门准备了一个引脚。DRAM业界已经很早以前就要求增这一功能,如今终于在DDR3身上实现。这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。当Reset命令有效时,DDR3内存将停止所有的操作,并切换至最少量活动的状态,以节约电力。在Reset期间,DDR3内存将关闭内在的大部分功能,所以有数据接收与发送器都将关闭。所有内部的程序装置将复位,DLL(延迟锁相环路)与时钟电路将停止工作,而且不理睬数据总线上的任何动静。这样一来,将使DDR3达到最节省电力的目的。

5、新增功能——ZQ校准
      ZQ也是一个新增的脚,在这个引脚上接有一个240欧姆的低公差参考电阻。这个引脚通过一个命令集,通过片上校准引擎(ODCE,On-Die Calibration Engine)来自动校验数据输出驱动器导通电阻与ODT的终结电阻值。当系统发出这一指令之后,将用相应的时钟周期(在加电与初始化之后用512个时钟周期,在退出自刷新操作后用256时钟周期、在其他情况下用64个时钟周期)对导通电阻和ODT电阻进行重新校准。
6、参考电压信号--VREF
      对于内存系统工作非常重要的参考电压信号VREF,在DDR3系统中将分为两个信号。一个是为命令与地址信号服务的VREFCA,另一个是为数据总线服务的VREFDQ,它将有效的提高系统数据总线的信噪等级

7、根据温度自动自刷新(SRT,Self-Refresh Temperature)
      为了保证所保存的数据不丢失,DRAM必须定时进行刷新,DDR3也不例外。不过,为了最大的节省电力,DDR3采用了一种新型的自动自刷新设计(ASR,Automatic Self-Refresh)。当开始ASR之后,将通过一个内置于DRAM芯片的温度传感器来控制刷新的频率,因为刷新频率高的话,消电就大,温度也随之升高。而温度传感器则在保证数据不丢失的情况下,尽量减少刷新频率,降低工作温度。不过DDR3的ASR是可选设计,并不见得市场上的DDR3内存都支持这一功能,因此还有一个附加的功能就是自刷新温度范围(SRT,Self-Refresh Temperature)。通过模式寄存器,可以选择两个温度范围,一个是普通的的温度范围(例如0℃至85℃),另一个是扩展温度范围,比如最高到95℃。对于DRAM内部设定的这两种温度范围,DRAM将以恒定的频率和电流进行刷新操作。

8、局部自刷新(RASR,Partial Array Self-Refresh)
      它是DDR3的一个可选项,通过这一功能,DDR3内存芯片可以只刷新部分逻辑Bank,而不是全部刷新,从而最大限度的减少因自刷新产生的电力消耗。这一点与移动型内存(Mobile DRAM)的设计很相似。

9、点对点连接(P2P,Point-to-Point)
      这是为了提高系统性能而进行了重要改动,也是与DDR2系统的一个关键区别。
      在DDR3系统中,一个内存控制器将只与一个内存通道打交道,而且这个内存通道只能一个插槽。因此内存控制器与DDR3内存模组之间是点对点(P2P,Point-to-Point)的关系(单物理Bank的模组),或者是点对双点(P22P,Point-to-two-Point)的关系(双物理Bank的模组),从而大大减轻了地址/命令/控制与数据总线的负载。而在内存模组方面,与DDR2的类别相类似,也有标准DIMM(台式PC)、SO-DIMM/Micro-DIMM(笔记本电脑)、FB-DIMM2(服务器)之分,其中第二代FB-DIMM将采用规格更高的AMB2(高级内存缓冲器)。不过目前有关DDR3内存模组的标准制定工作刚开始,引脚设计还没有最终确定。


作者: liuxingzixin    时间: 2008-11-17 21:31

有些不是很懂,学习了------------
作者: geminigao    时间: 2008-11-17 21:33

学习了,多谢
作者: bbl00    时间: 2008-11-17 21:38

不是很懂,最好来个简单点的性能等各方面的对比
作者: rainyelf    时间: 2008-11-17 21:40

技术上的东西,其实阵脚就不一样。。所以就看你选的主板了,不过DDR3还是好很多的
作者: 月的影子    时间: 2008-11-17 22:02

嗯,ddr3的价格也很好
作者: mickeylm    时间: 2008-11-17 22:11

不错,学习了
作者: I小B黑M    时间: 2008-11-17 22:38

学习了~
作者: 锋回血舞    时间: 2008-11-17 22:56

更新换代是必须的
就差价格了
作者: 天地遥昭    时间: 2008-11-17 23:05

学习了。。。。。。。
作者: luckyjun    时间: 2008-11-18 07:43

学习了!以后才有机会用DDR3了!
作者: mingrui_xidian    时间: 2008-11-18 09:10

学习了,3代的还是太贵了
作者: IBMX61    时间: 2008-11-18 12:50

学习先,,收藏
作者: nchh    时间: 2008-11-18 13:24

DDR3 价也太高了点,
作者: alfa2008    时间: 2008-11-18 15:37

看得很模糊,技术性的专用语还是多了点
作者: hansq    时间: 2008-11-19 07:58

这么好的帖子多顶几下呀,别沉了
作者: tsing    时间: 2008-11-19 10:24

买了个X61,最后得DDR2了,呵呵
作者: mingrui_xidian    时间: 2008-11-19 11:44

原帖由 tsing 于 2008-11-19 10:24 发表
买了个X61,最后得DDR2了,呵呵
多便宜阿!!!100多1G
作者: michaelbao    时间: 2008-11-19 13:21

学习了,不过不是很懂!
作者: shenzhq01    时间: 2008-11-19 16:19

学习了,不过还是太专业了,不大懂
作者: wdzhi    时间: 2008-11-19 18:13

学习了,不过用不了ddr3啊




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