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在迅驰4平台发布八个月之后的今天,名为Santa Rosa Refresh的“迅驰4.5”平台正式发布。正如人们之前预料的那样,它在保持芯片组和无线模块等组件保持不变的基础上,将基于第五代迅驰平台(Montevina)、代号为Penryn的45纳米处理器提前应用到现有平台当中。
首批上市的Penryn双核处理器主频从2.1GHz~2.8GHz不等,我们ZOL笔记本频道在第一时间拿到了一颗2.4GHz的Core 2 Duo T8300,在Penryn家族中属于中端主流型号;此外,我们还找到了两颗现有的65纳米处理器T7300(2.0GHz)和T7700(2.4GHz)与之进行对比。通过测试,我们希望找到以下问题的答案:
· 和主频相同的T7700相比,T8300在哪些应用中会体现出优势?
· 和千颗采购价格相同的T7300相比,T8300能有多大的效能提升?
· 先进的工艺技术是否能实现更小的发热量、并延长电池续航时间?
在对Penryn展开全面的测试之前,我们还是先来简单了解一下它具体都采用了哪些新技术:
· 45纳米制造工艺 现时IC制程工艺通常以纳米做为度量单位,其实际上是指集成电路中晶体管之间的连接线宽。连接线宽越短,单位面积的晶片上所能够容纳晶体管数量也就越多,其效能及功能亦将随之增强。和现有的65纳米双核处理器内建2.9亿个晶体管相比,采用45纳米制程的Penryn双核处理器拥有多达4.1亿个晶体管,而核心面积却更小,从而有效降低了因“晶体管集成度增加和频率提升”所带来的发热量和功率消耗。 · 新材料:High-k栅介质 出于二氧化硅的易获取性以及能够通过压缩其厚度以持续改善晶体管效能,因此在过往四十余年的时间中,业内均普遍采用二氧化硅做为制造晶体管栅介质的材料。而在65纳米制程工艺下,英特尔公司已经将晶体管二氧化硅栅介质的厚度压缩至1.2纳米,仅与五层原子的厚度相当,基本上达到了这种传统材料的极限。此时不但使得晶体管在效能增益以及制程提升等方面遭遇瓶颈,过薄的晶体管二氧化硅栅介质亦使得其阻隔上层栅极电流泄漏的能力逐渐降低,导致漏电率大幅攀升。 为了使上述情况得到解决,英特尔公司于45纳米Penryn家族处理器中首度引入High-k技术。此种以Hafnium铪元素为基础物质的新型材料不但拥有良好的绝缘性,且比传统二氧化硅栅介质更为厚实,能够进一步控制晶体管的漏电率。 |